佐藤　進　教授

異材溶接継手・複合材料・表面改質材・厚膜・薄膜等の異種材料界面を有する材料や構造物において、界面破壊現象を把握し、力学的評価を行って、界面強度制御方法を提案する。

　

界面破壊力学

Penny Shape Crack

τ

�U材

最弱リンクモデルによる限界Weibull Stressが評価基準

平成14年度　研究テーマと研究生

�@ 「Ion Beam Sputteringを用いたPVD手法による低温多結晶

　　　　　　　　　　　シリコン薄膜の作製に関する研究」

　　M2　柴田 明宣　(神戸国際大学附属高校)

�A 「Ion Beam SputteringによるSi薄膜の作製に及ぼす

諸因子の影響」

4年生　最所　 豊　(北九州・東筑紫学園)

　　　　桑元 俊介　(岡山・津山工業高校)

　　　　牟田 浩之　(佐賀・龍谷高校)

�B 「Ion Beam SputteringによるSiO₂薄膜の作製方法に

関する研究」

4年生　田中 顕記　(大阪・都島工業高校)

　　　　三谷 和大　(徳島・鳴門工業高校)

　　　　赤司 浩規　(福岡・朝羽高校)

�C 「4点曲げ負荷を受けるCrめっき試験片の3次元FEM解析」

　　4年生　福田 亮平 (長崎・佐世保実業高校)

　　　　　　西　 良太　(鹿児島・川内商工高校)

　　　　　　松本 健祐　(大阪・北陽高校)

薄膜トランジスター(TFT)やそれを組み込んだ液晶パネルさらには

有機ELパネルにはSi薄膜(膜厚40〜80nm)が用いられる。

　本研究では、現行のシランガス(SiH₄)のプラズマCVDによる

Si薄膜作製技術より、低コストで環境にやさしい工程となる低温Si薄膜作製技術の確立を目指している。

ノートパソコンや薄型TVで用いられている液晶ディスプレーならびに携帯電話で用いられている有機ELディスプレーにはアモルファスSi薄膜や多結晶Si薄膜が必要です。薄型TVにはもっと大きな画面の需要があります。

本研究で用いているIBS装置は、独立スパッタイオン源を2個とアシストイオン源を1個有しています。

[シリコン製膜速度(nm/sec)とターゲット電流(mA)の関係]　　　　　　　　　　　　　　　　　

スパッタイオン:

Arイオン

イオンエネルギー:

　　　　1.0〜1.3keV

IBS 実験風景

　

ガラス基板上のa-Si 薄膜

最近の国際学会講演論文

・ Evaluation of Adhesive Strength of Repair Sprayed Coating by The Local Approach,

Proceedings of Int. Conf. on ICM9, Geneva,2003 (to be published)

・ CRACK INITIATION　STRENGTH OF STRUCTURAL STEEL MEMBERS HAVING EXPERIENCED LARGE　COMPRESSIVE STRAIN, Proceedings of 21^st Int. Conf. On ASME-OMAE, Mat-28187,2002, June,Oslo

・ Strength of New-Type Steel Plate Having Surface Layers with Ultrafine Grain Microstructure, Proceedings of 20^Th Int. Conf. On ASME-OMAE, Mat-3131,2001,June,Brazil

・ EVALUATION OF ADHESIVE STRENGTH OF T-NOTCHED PLASMA SPRAYED COATING BY THE LOCAL APPROACH,
Proc. of the 17th Int. Conf. on ASME-OMAE,CD-ROM,1998,July,Lisbon